11月1日-3日，中國第三代半導體功率器件的領先品牌–派恩杰半導體將于廣州保利世貿博覽館，亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會。

派恩杰半導體成立于2018年9月，是中國第三代半導體功率器件的領先品牌，主營車規(guī)級碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵功率器件。公司擁有國內最全碳化硅功率器件產品目錄，碳化硅MOSFET與碳化硅SBD產品覆蓋各個電壓等級與載流能力，均通過AEC-Q101測試認證，可以滿足客戶的各種應用場景，提供穩(wěn)定可靠的車規(guī)級碳化硅功率器件產品。

派恩杰半導體擁有深厚的技術底蘊和全面的產業(yè)鏈優(yōu)勢，創(chuàng)始人黃興博士于09年起深耕于碳化硅和氮化鎵功率器件的設計和研發(fā)，師承IGBT發(fā)明人B. Jayant Baliga教授及晶閘管發(fā)明人Alex Huang教授。目前，派恩杰半導體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊和GaN HEMT產品，量產產品已在電動汽車、IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應用等領域廣泛使用，為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨，且產品質量與供應能力得到客戶的廣泛認可。

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【?展品介紹?】

1、HPD模塊及評估板

PAAC12400CM是派恩杰半導體針對電動汽車電驅系統(tǒng)推出的一款1200V，400A，HPD封裝的三相全橋碳化硅功率模塊。相比于傳統(tǒng)的IGBT功率模塊，該產品的開關損耗和導通損耗大幅度降低，可以顯著提高電驅系統(tǒng)的輕載效率，大幅提高電動汽車的續(xù)航里程。同時，該產品采用PinFin基板，具有超強的散熱性能，可以極大地簡化電驅系統(tǒng)的機械設計。派恩杰HPD模塊是專門為800V電機驅動系統(tǒng)開發(fā)，滿足車規(guī)級要求。

派恩杰設計專用模塊測試評估板可以對模塊進行動態(tài)參數設計，通過外部控制信號對模塊進行雙脈沖測試，測試評估板是針對HPD封裝設計的，驅動能力高達±30A，該評估板可直接壓接在HPD封裝模塊上，板子尺寸為168mm*93mm，六路獨立的驅動電源和驅動芯片可以輕松驅動PAAC12400CM。

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2、Easy1B模塊

PAIA1250AM是派恩杰半導體針對中等功率電力電子裝置應用推出的一款1200V、13mOhm、Easy1B封裝的碳化硅功率模塊。該產品采用絕緣陶瓷DBC基板，既可以保證絕緣，也具有良好的散熱能力

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3、62mm模塊

PAA12400BM3是派恩杰半導體推出的一款1200V、5.6mΩ、62mm模塊封裝的半橋結構碳化硅功率模塊。

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4、碳化硅器件

SiC MOSFET的出現和廣泛應用為功率半導體產業(yè)和電力電子產業(yè)帶來了一場影響深遠的技術革命。SiC MOSFET在導通電阻，開關損耗，高溫運行和導熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉換效率和功率密度，并使得系統(tǒng)的整體成本降低。因此，在汽車應用，工業(yè)應用，通信電源和數據中心，SiC MOSFET正在逐步替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。派恩杰半導體在650V，1200V，1700V多個電壓平臺均有量產的分立器件產品，且在不同載流能力和封裝形式上，產品目錄齊全，可以為客戶提供全方位的選擇。

SiC SBD（碳化硅肖特基二極管）的反向恢復電荷遠小于硅二極管同類產品，并且 SiC SBD可以運行在更高的結溫下。因此，SiC SBD在開關電源中能夠明顯地減少反向恢復損耗和開關噪聲，提高開關電源的轉換效率，整體功率密度和可靠性。SiC SBD優(yōu)異的特性可以顯著降低電力電子系統(tǒng)的整體成本。

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5、碳化硅晶圓

AUTO TECH?2023?中國國際汽車技術展覽會將于2023年11月1-3日再次登陸廣州保利世貿博覽館，本次展會主要涵蓋：汽車電子、智能座艙、智能網聯(lián)、自動駕駛、材料開發(fā)、EV/HV（功率半導體）、測試測量、零部件加工/模具、新能源汽車制造技術等多個汽車工業(yè)的重要領域；作為華南重要的汽車科技創(chuàng)新展示平臺，歡迎各位汽車工程師們蒞臨展會參觀指導！

AUTO TECH 2023?廣告席位和優(yōu)質展位在售，已剩少量。參展咨詢：李經理 132 6539 6437（同微信）/?參觀咨詢：楊女士131 7886 7606（微信號：wxy_lisa）