2024中國(guó)上海國(guó)際集成電路與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展覽會(huì)
2024China Shanghai International Integrated Circuit and Semiconductor Industry Exhibition
同期召開：中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展高峰論壇

時(shí)間：2024年 11 月 18-20 日
地點(diǎn)：上海新國(guó)際博覽中心

我國(guó)《“十四五”規(guī)劃》中，明確提出要加快集成電路、芯片及半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，推動(dòng)計(jì)算芯片、存儲(chǔ)芯片等創(chuàng)新，加快集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，推動(dòng)絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破。布局戰(zhàn)略性前沿性技術(shù)。

組委會(huì)：136 5198 3978 李先生

為更好的推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)界交流互動(dòng)，提升半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際化水平，“2024 中國(guó)上海國(guó)際集成電路與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展覽會(huì)” 將于 2024年 11 月 18-20 日在上海新國(guó)際博覽中心隆重召開。本次展覽分為展覽展示、高峰論壇和學(xué)術(shù)會(huì)議三大板塊，是集成電路與半導(dǎo)體行業(yè)的年度盛會(huì)，也是半導(dǎo)體行業(yè)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)交流合作的綜合性專業(yè)展示平臺(tái)。

預(yù)計(jì)規(guī)模Estimated scale：

90，000+專業(yè)觀眾

60，000+平方展覽面積

800+參展商

20個(gè)主題，100+場(chǎng)行業(yè)研討活動(dòng)

參展范圍Scope of Exhibits：

IC產(chǎn)品：IC產(chǎn)品與技術(shù)、IC測(cè)試方法與測(cè)試儀器、IC設(shè)計(jì)與設(shè)計(jì)工具、IC制造與封裝；

半導(dǎo)體設(shè)備：半導(dǎo)體封裝設(shè)備、擴(kuò)散設(shè)備、焊接設(shè)備、清洗設(shè)備、測(cè)試設(shè)備、制冷設(shè)備、氧化設(shè)備等；

半導(dǎo)體材料：?jiǎn)尉Ч?、硅片、鍺硅材料、S01材料、氧化鎵材料（Ga2O3）、金剛石、太陽能電池用硅材料及化合物半導(dǎo)體材料、石英制品、石墨制品、防靜電材料等；

集成電路及應(yīng)用：微處理器、第三代半導(dǎo)體. FPGA.電源管理、數(shù)模轉(zhuǎn)換器、傳感器等；

智能制造和高端裝備：電子生產(chǎn)設(shè)備、SMT組裝及系統(tǒng)、儀器儀表、3D打印等；

光電子：紅外技術(shù)應(yīng)用、激光智能制造、光通信與智慧感知、光學(xué)，精密光學(xué)制造、光電檢測(cè)及測(cè)試測(cè)量等；

集成電路終端產(chǎn)品：人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智能家居、智能終端、汽車電子、LED、健康醫(yī)療等智能化應(yīng)用類；

第一代半導(dǎo)體材料：

以硅(Si)、鍺(Ge)為代表，在19世紀(jì)50年代，Ge主導(dǎo)了半導(dǎo)體市場(chǎng)，主要用在低頻、低電壓、中等功耗的晶體管和光電探測(cè)器，但是Ge半導(dǎo)體器件不耐輻照和高溫，在19世紀(jì)60年代逐漸被Si器件取代，現(xiàn)在Si占據(jù)了超過95%的半導(dǎo)體器件市場(chǎng)，在集成電路中幾乎100%的采用Si材料。

應(yīng)用場(chǎng)景十分廣泛，從尖端的CPU、GPU、存儲(chǔ)芯片，再到各種充電器中的功率器件都可以做，但其自身特性限制了在高頻高壓高功率器件的應(yīng)用。

第二代半導(dǎo)體材料：

以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP)為代表，隨著以光纖通信為基礎(chǔ)的信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起，GaAs、InP等第二代半導(dǎo)體材料開始嶄露頭角。與硅相比，第二代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、電子飽和遷移率高、光電特性好、耐高溫、抗輻射等特性。磷化銦半導(dǎo)體激光器是光通信系統(tǒng)的關(guān)鍵器件，砷化鎵高速器件更開拓了光纖及移動(dòng)通信新產(chǎn)業(yè)。

第三代半導(dǎo)體材料：

以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表，第三代半導(dǎo)體材料具有更優(yōu)的電子遷移率、帶隙、擊穿電壓、高頻、耐高溫的特性。碳化硅材料具有非常重要的戰(zhàn)略意義，其應(yīng)用市場(chǎng)巨大，SiC的市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域偏向1000V以上的中高電壓范圍，具有高壓、高溫、高頻三大優(yōu)勢(shì)，比Si更薄、更輕、更小巧，主要應(yīng)用于高溫、高頻、抗輻射、大功率器件、半導(dǎo)體激光器等。

第四代半導(dǎo)體材料：

以氧化鎵(Ga2O3)為代表，作為新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，氧化鎵（Ga2O3）由于自身的優(yōu)異性能，憑借其比第三代半導(dǎo)體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測(cè)、高頻功率器件等領(lǐng)域吸引了越來越多的關(guān)注和研究。氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，業(yè)內(nèi)對(duì)它更大的期待是用于功率器件。使用氧化鎵制作的半導(dǎo)體器件可以實(shí)現(xiàn)更耐高壓、更小體積、更低損耗，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發(fā)電等領(lǐng)域在能源方面的消耗。