The 12th China Guangzhou EVs Power Electronics technology Expo

時(shí)間：2025年11月20日-22日

地點(diǎn)：廣州保利世貿(mào)博覽館 (PWTC Expo)

亞洲領(lǐng)先的車用功率半導(dǎo)體技術(shù)專業(yè)展；
是與來(lái)自世界各地的新能源汽車及半導(dǎo)體行業(yè)同仁進(jìn)行交流的最佳平臺(tái)！

AUTO TECH 2025 廣州國(guó)際新能源汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會(huì)，是車用功率半導(dǎo)體技術(shù)專業(yè)展，將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦，該展會(huì)隸屬于AUTO TECH 展系列，展品覆蓋車用功率器件IGBT/MOSFET、SiC、GaN、基礎(chǔ)功率器件、材料、封裝測(cè)試、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等技術(shù)產(chǎn)品，組委會(huì)將邀請(qǐng)比亞迪、廣汽埃安、特斯拉、豐田、小鵬、理想、小米、極氪、長(zhǎng)城、上汽、本田、日產(chǎn)、大眾、寶馬、蔚來(lái)、華為、匯川技術(shù)、寧德時(shí)代、博世、英飛凌、電裝、瑞薩、安森美、意法半導(dǎo)體等汽車OEM廠商及Tier1 & 2 零部件供應(yīng)商的上萬(wàn)名采購(gòu)、技術(shù)工程師匯聚一堂，參加展會(huì)以尋求供應(yīng)商及合作伙伴。

展品范圍：

車用基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件：雙極晶體管、二極管、晶閘管、整流管、TVS、ESD保護(hù)器等；
車用硅基功率器件（MOSFET/IGBT）等；
車用第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）器件；
外延片、襯底材料如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等;
設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)
生產(chǎn)設(shè)備
封裝測(cè)試
散熱管理
可靠性測(cè)試及認(rèn)證
信息服務(wù)

誰(shuí)來(lái)參觀：
新能源汽車主機(jī)廠、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車載OBC、車載DC/DC、充電樁、半導(dǎo)體廠家等。

同期論壇：
2025中國(guó)新能源汽車功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)論壇議題包括但不限于

★ 中國(guó)電動(dòng)汽車發(fā)展—功率半導(dǎo)體的機(jī)遇和挑戰(zhàn)
★ SiC如何改變電動(dòng)汽車的未來(lái)
★ 下一代氮化鎵GaN功率芯片的發(fā)展
★ 數(shù)字經(jīng)濟(jì)下，新能源汽車功率半導(dǎo)體的挑戰(zhàn)
★ 電動(dòng)汽車用高密度溝槽柵IGBT芯片技術(shù)
★ 新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及其功率器件應(yīng)用情況
★ 800V SiC電機(jī)控制器發(fā)展現(xiàn)狀及對(duì)行業(yè)的相關(guān)影響
★ 碳化硅功率器件在新能源車中的應(yīng)用
★ 基于SiC的新一代控制器開(kāi)發(fā)與應(yīng)用
★ IGBT（IPM）焊接及清洗工藝解決方案
★ 功率半導(dǎo)體銀燒結(jié)工藝的整體解決方案

歡迎垂詢 AUTO TECH 2025 華南展組委會(huì)：

展位預(yù)訂聯(lián)系人：李經(jīng)理 132 6539 6437（同微信）

郵箱：lilin@jswatsonexpo.com

參觀或組團(tuán)參觀聯(lián)系人：楊女士131 7886 7606（同微信）

郵箱：lisayang@jswatson-expo.com

AUTO TECH 2025 華南展——誠(chéng)邀您與行業(yè)同仁一道共迎汽車人的行業(yè)盛會(huì)，奏響汽車產(chǎn)業(yè)新篇章。11月20日-22日，廣州保利世貿(mào)博覽館，期待您的蒞臨！廣告席位和展位已全面啟動(dòng)，預(yù)訂從速?？陕?lián)系組委會(huì)索取參展合同及展位平面圖！更多精彩等待您現(xiàn)場(chǎng)解鎖！

派恩杰半導(dǎo)體成立于2018年9月，是中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌，主營(yíng)車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵功率器件。公司擁有國(guó)內(nèi)最全碳化硅功率器件產(chǎn)品目錄，碳化硅MOSFET與碳化硅SBD產(chǎn)品覆蓋各個(gè)電壓等級(jí)與載流能力，均通過(guò)AEC-Q101測(cè)試認(rèn)證，可以滿足客戶的各種應(yīng)用場(chǎng)景，提供穩(wěn)定可靠的車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件產(chǎn)品。

派恩杰半導(dǎo)體擁有深厚的技術(shù)底蘊(yùn)和全面的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)始人黃興博士于09年起深耕于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計(jì)和研發(fā)，師承IGBT發(fā)明人B. Jayant Baliga教授及晶閘管發(fā)明人Alex Huang教授。目前，派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個(gè)電壓平臺(tái)已發(fā)布100余款不同型號(hào)的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品，量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動(dòng)汽車、IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用，為T(mén)ier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨，且產(chǎn)品質(zhì)量與供應(yīng)能力得到客戶的廣泛認(rèn)可。

【 展品介紹 】

1、HPD模塊及評(píng)估板

PAAC12400CM是派恩杰半導(dǎo)體針對(duì)電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)推出的一款1200V，400A，HPD封裝的三相全橋碳化硅功率模塊。相比于傳統(tǒng)的IGBT功率模塊，該產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗大幅度降低，可以顯著提高電驅(qū)系統(tǒng)的輕載效率，大幅提高電動(dòng)汽車的續(xù)航里程。同時(shí)，該產(chǎn)品采用PinFin基板，具有超強(qiáng)的散熱性能，可以極大地簡(jiǎn)化電驅(qū)系統(tǒng)的機(jī)械設(shè)計(jì)。派恩杰HPD模塊是專門(mén)為800V電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，滿足車規(guī)級(jí)要求。

派恩杰設(shè)計(jì)專用模塊測(cè)試評(píng)估板可以對(duì)模塊進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)設(shè)計(jì)，通過(guò)外部控制信號(hào)對(duì)模塊進(jìn)行雙脈沖測(cè)試，測(cè)試評(píng)估板是針對(duì)HPD封裝設(shè)計(jì)的，驅(qū)動(dòng)能力高達(dá)±30A，該評(píng)估板可直接壓接在HPD封裝模塊上，板子尺寸為168mm*93mm，六路獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電源和驅(qū)動(dòng)芯片可以輕松驅(qū)動(dòng)PAAC12400CM。

2、Easy1B模塊

PAIA1250AM是派恩杰半導(dǎo)體針對(duì)中等功率電力電子裝置應(yīng)用推出的一款1200V、13mOhm、Easy1B封裝的碳化硅功率模塊。該產(chǎn)品采用絕緣陶瓷DBC基板，既可以保證絕緣，也具有良好的散熱能力

3、62mm模塊

PAA12400BM3是派恩杰半導(dǎo)體推出的一款1200V、5.6mΩ、62mm模塊封裝的半橋結(jié)構(gòu)碳化硅功率模塊。

4、碳化硅器件

SiC MOSFET的出現(xiàn)和廣泛應(yīng)用為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了一場(chǎng)影響深遠(yuǎn)的技術(shù)革命。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻，開(kāi)關(guān)損耗，高溫運(yùn)行和導(dǎo)熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和功率密度，并使得系統(tǒng)的整體成本降低。因此，在汽車應(yīng)用，工業(yè)應(yīng)用，通信電源和數(shù)據(jù)中心，SiC MOSFET正在逐步替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。派恩杰半導(dǎo)體在650V，1200V，1700V多個(gè)電壓平臺(tái)均有量產(chǎn)的分立器件產(chǎn)品，且在不同載流能力和封裝形式上，產(chǎn)品目錄齊全，可以為客戶提供全方位的選擇。

SiC SBD（碳化硅肖特基二極管）的反向恢復(fù)電荷遠(yuǎn)小于硅二極管同類產(chǎn)品，并且 SiC SBD可以運(yùn)行在更高的結(jié)溫下。因此，SiC SBD在開(kāi)關(guān)電源中能夠明顯地減少反向恢復(fù)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲，提高開(kāi)關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率，整體功率密度和可靠性。SiC SBD優(yōu)異的特性可以顯著降低電力電子系統(tǒng)的整體成本。

5、碳化硅晶圓

AUTO TECH 2023 中國(guó)國(guó)際汽車技術(shù)展覽會(huì)將于2023年11月1-3日再次登陸廣州保利世貿(mào)博覽館，本次展會(huì)主要涵蓋：汽車電子、智能座艙、智能網(wǎng)聯(lián)、自動(dòng)駕駛、材料開(kāi)發(fā)、EV/HV（功率半導(dǎo)體）、測(cè)試測(cè)量、零部件加工/模具、新能源汽車制造技術(shù)等多個(gè)汽車工業(yè)的重要領(lǐng)域；作為華南重要的汽車科技創(chuàng)新展示平臺(tái)，歡迎各位汽車工程師們蒞臨展會(huì)參觀指導(dǎo)！

AUTO TECH 2023 廣告席位和優(yōu)質(zhì)展位在售，已剩少量。參展咨詢：李經(jīng)理 132 6539 6437（同微信）/ 參觀咨詢：楊女士131 7886 7606（微信號(hào)：wxy_lisa）

汽車芯片從應(yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲(chǔ)芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，其中功率芯片價(jià)值量增加幅度最大。

而新能源汽車相比傳統(tǒng)燃油車，新能源車中的功率半導(dǎo)體價(jià)值量提升幅度更大，按照傳統(tǒng)燃油車半導(dǎo)體價(jià)值量417美元計(jì)算，功率半導(dǎo)體單車價(jià)值量達(dá)到87．6美元，按照FHEV、PHEV、BEV單車半導(dǎo)體價(jià)值量834美元計(jì)算，功率半導(dǎo)體單車價(jià)值量達(dá)到458．7美元，價(jià)值量增加四倍多。功率半導(dǎo)體中，IGBT和SiC表現(xiàn)極為強(qiáng)勢(shì)，被一眾芯片廠商所看好。

在此背景下，為了推動(dòng)行業(yè)展和搭建功率半導(dǎo)體技術(shù)交流平臺(tái)，由AUTO TECH 華南展組委會(huì)強(qiáng)力推出AUTO TECH 2023 廣州國(guó)際新能源汽車功率半導(dǎo)體與LED技術(shù)展覽會(huì)，是車用功率半導(dǎo)體與LED技術(shù)專業(yè)展，將于2023年11月1日-3日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦，該展會(huì)隸屬于AUTO TECH 展系列，展品覆蓋車用功率器件IGBT/MOSFET、SiC、GaN、LED芯片/光源、材料、封裝測(cè)試、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等技術(shù)產(chǎn)品，組委會(huì)將邀請(qǐng)比亞迪、廣汽埃安、特斯拉、豐田、小鵬、理想、小米、極氪、長(zhǎng)城、上汽、本田、日產(chǎn)、大眾、寶馬、蔚來(lái)、華為、匯川技術(shù)、寧德時(shí)代、博世、英飛凌、電裝、瑞薩、安森美、意法半導(dǎo)體等汽車OEM廠商及Tier1 & 2 零部件供應(yīng)商的上萬(wàn)名采購(gòu)、技術(shù)工程師匯聚一堂，參加展會(huì)以尋求供應(yīng)商及合作伙伴。

作為汽車科技創(chuàng)新展示平臺(tái)，歡迎業(yè)界同仁踴躍報(bào)名參展，充分利用AUTO TECH 2023，鞏固您的市場(chǎng)地位！詳情請(qǐng)登錄：www.china-autotech.com 參展咨詢：李經(jīng)理132 6539 6437 （微信同號(hào)）/ 參觀咨詢：楊小姐131 7886 7606